Один из вариантов размещения модуля питания внутри планшета.
DC-DC преобразователь
такой. Я специально не стал его переделывать, а использовал, что называется "из коробки".
Для размещения используем металлическую рамку от удалённой батареи. "Банка" приклеена к ней на достаточно "мощный" двухсторонний скотч и при "расчленении" нужно приложить усилие, но без фанатизма-рамка легко гнётся и её можно повредить.
Оставшийся липкий слой можно не удалять.
По внутреннему размеру рамки вырезаем прямоугольник из фольгированного стеклотекстолита - медный слой будет выступать в роли радиатора (теплоотвода) от DC-DC преобразователя. Достаточно толщины стеклотекстолита в 1,2 мм. Толщина медного слоя 35 мкм (чем толще слой, тем лучше теплоотвод).
Преобразователь размещаем по середине, сместив от края, где будет находиться подготовленный контроллер от батареи и в фольге делаем прорези, формируя дорожки питания линии "плюс". Должны быть достаточно широкие 1-1,5 см.
Специальный инструмент для этого не требуется, достаточно острого шила или тонкой отвёртки.
На нижнюю поверхность преобразователя наклеиваем термопрокладку
"3М" с двухсторонним липким слоем
и точно, одним движением приклеиваем на подготовленную поверхность ("схватывается намертво" и подкорректировать будет невозможно).
Я увлёкся, а перед этим желательно припаять на контакты такие выводы,
уже приклеенный через теплоотвод модуль прогреть паяльником очень трудно (я грел поверхность феном перед пайкой паяльником).
Конденсаторы использую танталовые: на входе два по 100 мкФ на 25V, на выходе три по 470 мкФ на 10V. Танталы лучше выбирать с большим запасом по напряжению в 3-4 раза. Провода сечением 0,75 мм.кв. Приклеиваем получившуюся плату к рамке на оставшийся скотч (или на новый).
Эту перемычку делать необязательно ( я просто экспериментировал с общей "массой").
Общая высота получившейся конструкции 5,6 мм. Зазор между матрицей планшета и рамкой с платой получается "штатный". Тестирование проводил при комнатной температуре в течении 4 часов под непрерывной нагрузкой в 1,75А. Температура на корпусе микросхемы не поднялась выше 57С (самым "слабым звеном" является диод Шоттки и греется он сильнее микросхемы). Ниже осциллограмма теста (ток нагрузки 1,75А, напряжение на входе 14,5V, на выходе 4,37V, пульсации 50 mV). И это с минимальными доработками. Если преобразователь подготовить по рекомендациям, то температура на микросхеме будет ещё меньше и стабильность напряжения на выходе возрастёт.
Немного доработал модуль: заменил индуктор на 10µH, диод Шотки поставил SS54, частоту переключения выставил на 900kHz (на "стоке" была максимальная 1500kHz), добавил керамических конденсаторов по 0,1 мкФ на вход и выход.
Результат: при токе нагрузки в
2А температура на микросхеме
56С, на Шоттки 72С (на "родном" при том же токе была 103С), индуктор 48С. Это стало возможным в основном благодаря теплоотводу площадью в 80 см². Пульсации на выходе
40mV.
